Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NPBF
Bestellnr.:
 24S3233
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF640NPBF
Sofort verfügbar: 2.132 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.100 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,01 € *
1 Stk.
1,0115 €
10 Stk.
0,7140 €
100 Stk.
0,6188 €
500 Stk.
0,5236 €
1000 Stk.
0,4760 €
N-Kanal
200 V
18 A
150 mΩ
TO-220
150 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 3.3 A, TO-220, IRF610-T
Bestellnr.:
 24S3256
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF610-T
Sofort verfügbar: 25 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 2,02 € *
1 Stk.
2,0230 €
50 Stk.
1,7731 €
100 Stk.
1,5708 €
250 Stk.
1,4161 €
500 Stk.
1,2852 €
N-Kanal
100 V
3.3 A
1.5 Ω
TO-220
36 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 30 A, TO-220, IRLZ34NPBF
Bestellnr.:
 24S3372
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ34NPBF
Sofort verfügbar: 749 Stk. Ab Hersteller: 46 Wochen **
Gesamtpreis: 0,77 € *
1 Stk.
0,7735 €
25 Stk.
0,6307 €
100 Stk.
0,5236 €
250 Stk.
0,4522 €
1000 Stk.
0,3927 €
N-Kanal
55 V
30 A
35 mΩ
TO-220
56 W
THT
-55 °C
175 °C